买卖IC网 >> 产品目录 >> SI8806DB-T2-E1 MOSFET 12V 3.9A 0.9W 4.3mOhms @ 4.5V datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI8806DB-T2-E1

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 12V 3.9A 0.9W 4.3mOhms @ 4.5V
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 12V 3.9A 0.9W 4.3mOhms @ 4.5V
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 12 V
闸/源击穿电压 8 V
漏极连续电流 0.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.035 Ohms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 Micro Foot-1
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI8806DB-T2-E1
SI8808DB-T2-E1
SI8809EDB-T2-E1
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SI8816EDB-T2-E1
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深圳市科思奇电子科技有限公司 0755-83245050 林小姐/欧阳先生
  • SI8806DB-T2-E1 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.428 0.428
    10 0.346 3.46
    100 0.318 31.8
    250 0.276 69
    3,000 0.1946 583.8
    6,000 0 0